通過半導體化措施使陶瓷具有半導電性晶粒和絕緣性（或半導體性）晶界，從而呈現(xiàn)很強的界面勢壘等半導體特性的電子陶瓷。
陶瓷半導體化的方法主要有強制還原法和施主摻雜法（亦稱原子價控法）兩種。兩種方法都是在陶瓷的晶體中形成離子空位等缺陷，從而提供大量導電電子，使陶瓷中的晶粒成為某種類型（通常是 N型）的半導體。而這些晶粒之間的間層為絕緣層或另一類型（P 型）的半導體層。
半導體陶瓷種類很多，其中包括利用半導體瓷中晶粒本身性質(zhì)制成的各種負溫度系數(shù)熱敏電阻；利用晶界性質(zhì)制成的半導體電容器、ZnO 壓敏電阻器、BaTiO3系正溫度系數(shù)熱敏電阻器、CdS/Cu2S太陽能電池；以及利用表面性質(zhì)制成的各種陶瓷型濕敏電阻器和氣敏電阻器等。表2列出典型的傳感器用半導體陶瓷。
CdS/Cu2S系光電陶瓷不同于上表所列的利用絕緣晶界層性質(zhì)的半導體瓷，它所利用的是N型CdS與P型Cu2S晶界層之間的PN異質(zhì)結(jié)的光伏效應。用它制成的陶瓷太陽能電池，可以作為無人值守臺站的電源，也可作為電子儀器中的光電耦合器件。
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